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Zweipoliger BJT NPN Dioden-Transistor 450 V 30 A 200 W BUF420AW durch Loch TO-247-3

Herkunftsort Malaysia
Markenname ST
Zertifizierung RoHS
Modellnummer BUF420AW
Min Bestellmenge 30 PCS
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 30 PCS/Tube
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 6K PCS

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Produktdetails
Kategorie Bipolar Transistor - BJT Mfr STMicroelectronics
Transistor-Art NPN Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 30 A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 450 V Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC 500mV @ 4A, 20A
Macht- maximales 200 W Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch Paket/Fall TO-247-3
Lieferanten-Gerät-Paket TO-247-3
Markieren

Bipolare BJT 450 V 30 A 200 W TO-247-3 BUF420AW

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Bipolare BJT 450 V 30 A TO-247-3 BUF420AW

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BJT 450 V 30 A TO-247-3 BUF420AW

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Produkt-Beschreibung

BUF420AW Bipolarer (BJT) Transistor NPN 450 V 30 A 200 W Durchgangsloch TO-247-3

 

Merkmale:

STMicroelectronics BEVORZUGTER VERKAUFSTYP

HOCHSPANNUNGSFÄHIGKEIT

SEHR HOHE SCHALTGESCHWINDIGKEIT

MINIMALE LOS-ZU-LOS-VERTEILUNG FÜR ZUVERLÄSSIGEN BETRIEB

GERINGE ANFORDERUNGEN AN DAS GRUNDANTRIEB

 

Beschreibung:

Der BUF420AW wird mithilfe der High-Voltage-Multi-Epitaxial-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten hergestellt

und Hochspannungskapazität.Es verwendet eine Zellular-Emitter-Struktur mit planarem Kantenabschluss, um das Schalten zu verbessern

Geschwindigkeiten bei gleichzeitiger Beibehaltung eines breiten RBSOA.Die BUF-Serie ist für den Einsatz in Hochfrequenz-Stromversorgungen konzipiert

und Motorsteuerungsanwendungen.

 

Schnelles Detail:

Hersteller
STMicroelectronics
Produktnummer des Herstellers
BUF420AW
Beschreibung
TRANS NPN 450V 30A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 450 V 30 A 200 W Durchgangsloch TO-247-3

 

Produkteigenschaften:

TYP
BESCHREIBUNG
Kategorie
Einzelne bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Paket
Rohr
Produktstatus
Aktiv
Transistortyp
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
30 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
450 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500 mV bei 4 A, 20 A
Leistung max
200 W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Durchgangsloch
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Basisproduktnummer
BUF420

 

Zusätzliche Ressourcen:

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen
497-4085-5-NDR
497-4085-5
Standardpaket 30

 

Datenbild:https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/9e/57/be/79/c8/be/4f/da/CD00002853.pdf/files/CD00002853.pdf/jcr: content/translations/en.CD00002853.pdf

Zweipoliger BJT NPN Dioden-Transistor 450 V 30 A 200 W BUF420AW durch Loch TO-247-3 0

Zweipoliger BJT NPN Dioden-Transistor 450 V 30 A 200 W BUF420AW durch Loch TO-247-3 1