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IPP65R110CFDA-Dioden-Transistor und Thyristor-N-Kanal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3

  • IPP65R110CFDA Diode Transistor And Thyristor N-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3
Herkunftsort Vereinigte Staaten
Markenname Infineon Technologies
Zertifizierung RoHS
Modellnummer BUF420AW
Min Bestellmenge 50 PCS
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 50 PCS/Tube
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 6K PCS

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Produktdetails
Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Reihe Automobil, AEC-Q101, CoolMOS™ Produktstatus Aktiv
Fet-Art N-Kanal Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 650 V Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 31.2A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4.5V @ 1.3mA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ±20V Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 3240 PF @ 100 V
Verlustleistung (maximal) 277.8W (Tc) Betriebstemperatur -40°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch Lieferanten-Gerät-Paket PG-TO220-3
Paket/Fall TO-220-3 Niedrige Produkt-Zahl IPP65R110
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Dioden 650 V 31

,

2 A Tc 277

,

8 W IPP65R110CFDA
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Produkt-Beschreibung

IPP65R110CFDA-N-Kanal 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) durch Loch PG-TO220-3

 

Eigenschaften:

Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs
Mfr Infineon Technologies
Reihe Automobil, AEC-Q101, CoolMOS
Produkt-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 650 V
Gegenwärtig - ununterbrochenes Abfluss (Identifikation) @ 25 ツー C 31.2A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4.5V @ 1.3mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 3240 PF @ 100 V
Verlustleistung (maximal) 277.8W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C |°C 150 (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket PG-TO220-3
Paket/Fall TO-220-3
Niedrige Produkt-Zahl IPP65R110

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
Standardpaket 50

 
Daten-Bild: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
 
 
IPP65R110CFDA-Dioden-Transistor und Thyristor-N-Kanal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 0IPP65R110CFDA-Dioden-Transistor und Thyristor-N-Kanal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 1IPP65R110CFDA-Dioden-Transistor und Thyristor-N-Kanal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

±
Umbauten:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel