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IPB0401NM5S-Halbleiter-Dioden-Transistor-Elektronik Teil-GRABEN 100V

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xProduktdetails
Produktzahl | IPB0401NM5S | Hersteller | Infineon Technologies |
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Kategorie | Einzelne FETs, MOSFETs | Minimale Betriebstemperatur | -30C |
Normalbetriebshöchsttemperatur | 125C | Minimale Versorgungsspannung | 3.5V |
Maximale Versorgungsspannung | 8V | Länge | 1,3 Millimeter |
Breite | 4,8 Millimeter | Höhe | 1.7mm |
Markieren | Halbleiter TRENCH 100V IPB0401NM5S,100V Halbleiter TRENCH IPB0401NM5S,IPB0401NM5S 100V Halbleiter TRENCH |
Produkt-Beschreibung
IPB0401NM5S GRABEN >=100V
Produkteigenschaften:
Marke | INFINEON/ Infineon |
Modell | IPB0401NM5S |
RoHS | Ja |
Produktkategorie | Elektronische Bauteile |
Minimale Betriebstemperatur | -30 °C |
Maximale Betriebstemperatur | 125 °C |
Mindestversorgungsspannung | 3,5V |
Maximale Versorgungsspannung | 8V |
Länge | 1,3 mm |
Breite | 4,8 mm |
Höhe | 1,7 mm |
Datenbild:
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