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IPB0401NM5S-Halbleiter-Dioden-Transistor-Elektronik Teil-GRABEN 100V

Herkunftsort Infineon Technologies
Markenname INFINEON
Zertifizierung RoHS
Modellnummer IPB0401NM5S
Min Bestellmenge 1000 PC
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 1000 PCS/Tape
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 20K PCS

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Produktdetails
Produktzahl IPB0401NM5S Hersteller Infineon Technologies
Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs Minimale Betriebstemperatur -30C
Normalbetriebshöchsttemperatur 125C Minimale Versorgungsspannung 3.5V
Maximale Versorgungsspannung 8V Länge 1,3 Millimeter
Breite 4,8 Millimeter Höhe 1.7mm
Markieren

Halbleiter TRENCH 100V IPB0401NM5S

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100V Halbleiter TRENCH IPB0401NM5S

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IPB0401NM5S 100V Halbleiter TRENCH

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Produkt-Beschreibung

IPB0401NM5S GRABEN >=100V

 

Produkteigenschaften:

Marke INFINEON/ Infineon
Modell IPB0401NM5S
RoHS Ja
Produktkategorie Elektronische Bauteile
Minimale Betriebstemperatur -30 °C
Maximale Betriebstemperatur 125 °C
Mindestversorgungsspannung 3,5V
Maximale Versorgungsspannung 8V
Länge 1,3 mm
Breite 4,8 mm
Höhe 1,7 mm

 

Datenbild:

IPB0401NM5S-Halbleiter-Dioden-Transistor-Elektronik Teil-GRABEN 100V 0