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IRF7480MTRPBF-Widerstand-Dioden-Transistor-N-Kanal 40V 217 Wechselstrom 96W Tc DirectFET isometrisch ICH

  • IRF7480MTRPBF Resistor Diode Transistor N-Channel 40V 217A C 96W Tc DirectFET Isometric ME
Herkunftsort Vereinigte Staaten
Markenname Infineon Technologies
Zertifizierung RoHS
Modellnummer IRF7480MTRPBF
Min Bestellmenge 4800 PCS
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 4800PCS/Tube
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 45K PCS

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Produktdetails
Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies
Reihe HEXFET®, StrongIRFET™ Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 217A (Tc) Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 1.2mOhm @ 132A, 10V Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 3.9V @ 150µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 185 nC @ 10 V Vgs (maximal) ±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 6680 PF @ 25 V Verlustleistung (maximal) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ) Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket DirectFET™ isometrisch ICH
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40V 217A C 96W Tc DirectFET Isometrien IRF7480MTRPBF

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40V C 96W Tc DirectFET Isometrien IRF7480MTRPBF

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IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET Isometrien
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Produkt-Beschreibung

IRF7480MTRPBF N-Kanal 40 V 217 A (Tc) 96 W (Tc) oberflächenmontierter DirectFET™ isometrischer ME

 

Merkmale:

Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller Infineon Technologies
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C 217A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1,2 mOhm bei 132 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 3,9 V bei 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6680 pF bei 25 V
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C~ 150°C(TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten DirectFET Isometrisches ME
Basisproduktnummer IRF7480

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen IRF7480MTRPBFCT
  IRF7480MTRPBF-ND
  IRF7480MTRPBFTR
  SP001566252
  IRF7480MTRPBFDKR
Standardpaket 4800

 

Datenbild:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30

 

 

 

 

IRF7480MTRPBF-Widerstand-Dioden-Transistor-N-Kanal 40V 217 Wechselstrom 96W Tc DirectFET isometrisch ICH 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Umbauten:

IPP65R110CFDA

IPB0401NM5S

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel