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Oberflächenberg ATPAK ATP114-TL-H Dioden-Transistor-P-Kanal Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc

Herkunftsort Vereinigte Staaten
Markenname onsemi
Zertifizierung RoHS
Modellnummer ATP114-TL-H
Min Bestellmenge 1000 PC
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 1000 PCS/Tube
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 3K PCS

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Produktdetails
Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs Mfr onsemi
Fet-Art P-Kanal Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 55A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 16mOhm @ 28A, 10V
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 92 nC @ 10 V Vgs (maximal) ±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 4000 PF @ 20 V Verlustleistung (maximal) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket ATPAK Paket/Fall ATPAK (2 Leads+Tab)
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P-Kanal-Mosfets 60 V 55 A Ta 60 W Tc ATP114-TL-H

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P-Kanal-Mosfets 60 V Ta 60 W Tc ATP114-TL-H

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P-Kanal-Mosfets 60 V Ta 60 W ATP114-TL-H

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Produkt-Beschreibung

ATP114-TL-H P-Kanal 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Oberflächenmontage ATPAK

 

Merkmale:ATP114-TL-H

Kategorie Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller onsemi
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25°C 55A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm bei 28 A, 10 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4000 pF bei 20 V
Verlustleistung (max.) 60 W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten ATPAK
Paket/Koffer ATPAK (2 Ableitungen+Tab)
Basisproduktnummer ATP114

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen ATP114-TL-HOSDKR
  ATP114-TL-HOSTR
  ATP114-TL-H-ND
  ATP114-TL-HOSCT
Standardpaket 3000

 

Datenbild:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf

 

Oberflächenberg ATPAK ATP114-TL-H Dioden-Transistor-P-Kanal Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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