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Oberflächenberg ATPAK ATP114-TL-H Dioden-Transistor-P-Kanal Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc

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xKategorie | Einzelne FETs, MOSFETs | Mfr | onsemi |
---|---|---|---|
Fet-Art | P-Kanal | Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 60 V | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 55A (Ta) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | Vgs (maximal) | ±20V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 4000 PF @ 20 V | Verlustleistung (maximal) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | ATPAK | Paket/Fall | ATPAK (2 Leads+Tab) |
Markieren | P-Kanal-Mosfets 60 V 55 A Ta 60 W Tc ATP114-TL-H,P-Kanal-Mosfets 60 V Ta 60 W Tc ATP114-TL-H,P-Kanal-Mosfets 60 V Ta 60 W ATP114-TL-H |
ATP114-TL-H P-Kanal 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Oberflächenmontage ATPAK
Merkmale:ATP114-TL-H
Kategorie | Einzelne FETs, MOSFETs |
Hersteller | onsemi |
FET-Typ | P-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25°C | 55A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm bei 28 A, 10 V |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC bei 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4000 pF bei 20 V |
Verlustleistung (max.) | 60 W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Oberflächenmontage |
Gerätepaket des Lieferanten | ATPAK |
Paket/Koffer | ATPAK (2 Ableitungen+Tab) |
Basisproduktnummer | ATP114 |
Zusätzliche Ressourcen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
Andere Namen | ATP114-TL-HOSDKR |
ATP114-TL-HOSTR | |
ATP114-TL-H-ND | |
ATP114-TL-HOSCT | |
Standardpaket | 3000 |
Datenbild:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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