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Getrennte Halbleiter-Produkte IGBT NPT 600V 6 FGD3N60UNDF ein 60W Oberflächenberg TO-252AA

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xHersteller | onsemi | Kategorie | Einzelnes IGBTs |
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Produkt-Zahl | FGD3N60UNDF | IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600 V | Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 6A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 9A | Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.52V @ 15V, 3A |
Macht- maximales | 60W | Zugeschaltete Energie | 52µJ (an), 30µJ (weg) |
Eingegebene Art | Standard | Tor-Gebühr | 1,6 nC |
TD (AN/AUS) @ 25°C | 5.5ns/22ns | Testbedingung | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | 21 ns | Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg | Paket/Fall | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-252AA | ||
Markieren | FGD3N60UNDF,Getrennte Halbleiter-Produkte,Diode und Transistor |
Oberflächenberg TO-252AA FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 A 60 W
Datenblatt: FGD3N60UNDF
Kategorie | Einzelnes IGBTs |
Mfr | onsemi |
Produkt-Status | Veraltet |
IGBT-Art | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600 V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 6 A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 9 A |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.52V @ 15V, 3A |
Macht- maximales | 60 W |
Zugeschaltete Energie | µJ 52(an),30µJ(weg) |
Eingegebene Art | Standard |
Tor-Gebühr | 1,6 nC |
°C 25 TD (AN/AUS) @ | 5.5ns/22ns |
Testbedingung | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | 21 ns |
Betriebstemperatur | -55°C |°C 150 (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-252AA |
Niedrige Produkt-Zahl | FGD3N60 |
Zusätzliche Ressourcen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
Andere Namen | FGD3N60UNDFCT |
FGD3N60UNDFTR | |
FGD3N60UNDFDKR | |
Standardpaket | 2500 |
Daten-Bild: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf