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Getrennte Halbleiter-Produkte IGBT NPT 600V 6 FGD3N60UNDF ein 60W Oberflächenberg TO-252AA

Herkunftsort Vereinigte Staaten
Markenname onsemi
Zertifizierung RoHS
Modellnummer FGD3N60UNDF
Min Bestellmenge 2500pcs
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 2500PCS/Tape
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 2.5K PCS

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Produktdetails
Hersteller onsemi Kategorie Einzelnes IGBTs
Produkt-Zahl FGD3N60UNDF IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600 V Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 6A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 9A Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.52V @ 15V, 3A
Macht- maximales 60W Zugeschaltete Energie 52µJ (an), 30µJ (weg)
Eingegebene Art Standard Tor-Gebühr 1,6 nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 5.5ns/22ns Testbedingung 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 21 ns Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg Paket/Fall TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Lieferanten-Gerät-Paket TO-252AA
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FGD3N60UNDF

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Getrennte Halbleiter-Produkte

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Diode und Transistor

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Produkt-Beschreibung

Oberflächenberg TO-252AA FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 A 60 W

 

Datenblatt: FGD3N60UNDF

Kategorie Einzelnes IGBTs
Mfr onsemi
Produkt-Status Veraltet
IGBT-Art NPT
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600 V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 6 A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 9 A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.52V @ 15V, 3A
Macht- maximales 60 W
Zugeschaltete Energie µJ 52(an),30µJ(weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 1,6 nC
°C 25 TD (AN/AUS) @ 5.5ns/22ns
Testbedingung 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 21 ns
Betriebstemperatur -55°C |°C 150 (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Lieferanten-Gerät-Paket TO-252AA
Niedrige Produkt-Zahl FGD3N60

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen FGD3N60UNDFCT
  FGD3N60UNDFTR
  FGD3N60UNDFDKR
Standardpaket 2500

 

 

 

Daten-Bild: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
Getrennte Halbleiter-Produkte IGBT NPT 600V 6 FGD3N60UNDF ein 60W Oberflächenberg TO-252AA 0