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Graben-Feld-Halt 1200 V 80 A 555 W RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM Halbleiter-IGBT
| Herkunftsort | Japan |
|---|---|
| Markenname | ROHM |
| Zertifizierung | RoHS |
| Modellnummer | RGS80TSX2DHRC11 |
| Min Bestellmenge | 30 PCS |
| Preis | Negotiable |
| Verpackung Informationen | 30 PCS/Tube |
| Lieferzeit | 2-3 Tage |
| Zahlungsbedingungen | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 6K PCS |
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xProduktdetails
| Kategorie | Einzelnes IGBTs | Mfr | Rohm-Halbleiter |
|---|---|---|---|
| Paket | Rohr | IGBT-Typ | Trench-Field-Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 1200 V | Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 80 A |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 120 A | Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.1V @ 15V, 40A |
| Macht- maximales | 555 W | Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | 104 nC | Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Rückgenesungszeit (trr) | 198 ns | Betriebstemperatur | -40 °C ~ 175 °C |
| Befestigung der Art | Durch Loch | Lieferanten-Gerät-Paket | TO-247N |
| Markieren | RGS80TSX2DHRC11,IGBT-Graben-Feld-Halt,to-247n rohm |
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Produkt-Beschreibung
Graben-Feld-Halt 1200 V 80 A 555 W RGS80TSX2DHRC11 IGBT durch Loch TO-247N
Eigenschaften:
●Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
●Kurzschluss-Widerstands-Zeit 10μs
●Qualifiziert zu AEC-Q101
●Errichtet in der schnellen u. weichen Wiederaufnahme FRD
●Pb - freier Führungs-Überzug; RoHS konform
Beschreibung:
RGS-Feld-End-Graben Automobil-IGBTs
Feld-End-Graben Automobil- IGBTs ROHM-Halbleiter-RGS sind- AEC-Q101 bewertetes Automobil-IGBTs das
sind verfügbare im Jahre 1200 Varianten V und 650V. Dieses liefern IGBTs Klasse-führenden niedrigen Leitungsverlust, der beiträgt
zur Verringerung der Größe und zum Verbessern der Leistungsfähigkeit von Anwendungen. Die RGS IGBTs verwenden ursprüngliches Grabentor und
Dünnoblatentechnologien. Diese Technologien helfen, niedrige Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (VCE (saßen)), zu erzielen mit
verringerte zugeschaltete Verluste. Dieses stellen IGBTs erhöhtes Energiesparen in einer Vielzahl des Hochspannungs- und hohen Stroms zur Verfügung
Anwendungen.
Schnelles Detail:
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Hersteller
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Rohm-Halbleiter
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Hersteller Product Number
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RGS80TSX2DHRC11
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Beschreibung
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IGBT-GRABEN FLD 1200V 80A TO247N
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Ausführliche Beschreibung
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IGBT-Graben-Feld-Halt 1200 V 80 A 555 W durch Loch TO-247N
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Produkteigenschaften:
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ART
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Einzelnes IGBTs
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|
Mfr
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Rohm-Halbleiter
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Produkt-Status
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Aktiv
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IGBT-Art
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Graben-Feld-Halt
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Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)
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1200 V
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Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)
|
80 A
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Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm)
|
120 A
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|
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC
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2.1V @ 15V, 40A
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Macht- maximales
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555 W
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Zugeschaltete Energie
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3mJ (an), 3.1mJ (weg)
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Eingegebene Art
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Standard
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Tor-Gebühr
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104 nC
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TD (AN/AUS) @ 25°C
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49ns/199ns
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Testbedingung
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600V, 40A, 10Ohm, 15V
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Rückgenesungszeit (trr)
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198 ns
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Betriebstemperatur
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-40°C | 175°C (TJ)
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Befestigung der Art
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Durch Loch
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Paket/Fall
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TO-247-3
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Lieferanten-Gerät-Paket
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TO-247N
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Niedrige Produkt-Zahl
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RGS80
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Zusätzliche Ressourcen:
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| Andere Namen | 846-RGS80TSX2DHRC11 |
| Standardpaket | 30 |
Daten-Bild: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf
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