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Mikron MT29F16G08ABACAWP-ITZ: C-Flash-Speicher-IC-Chip
Lieferanten-Gerätepaket: | Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au |
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Packung / Gehäuse: | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
Speichergröße: | 32Gbit |
AQY212GSZ Panasonic Repaly 1 Form A (SPSTNO) Belastung Wechselstrom Gleichstrom Belastung Spannung 60V Solid State Relay MOS Ausgang (PhotoMOS)
Relais-Kontakt-Form: | 1 Formular A ((SPST-NO) |
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Anwendbare Lastarten: | WECHSELSTROM, DC |
Positive Spannung: | 60 V |
LMV321LILT-Schiene, zum des OP des Stromkreis-universellen Zweckes 1 Amperes IC Stromkreises SOT-23-5 mit der Eisenbahn zu befördern
Produktzahl: | LMV321LILT |
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Kategorie: | Instrumentierung, OPampere, Puffer Ampere |
Mfr: | STMicroelectronics |
AD7788BRMZ-REEL 16 gab gebissener Anzeigen-Konverter IC 1 1 Paket des Sigma-Delta-10-MSOP ein
Kategorie: | Analog-Digital-Wandler - ADC |
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Mfr: | Analog Devices Inc. |
Zahl von Stückchen: | 16 |
AD7792BRUZ-REEL 16 gebissener Dac Converter Ic 3 gab 1 Sigma-Delta 16-TSSOP ein
Katalog: | Analog-Digitalkonverter (ADC) |
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ROHS: | Konform |
Allgemeines Paket: | TSSOP-16 |
AD7367BRUZ-RL7 14 gab gebissener Chip 4 ADC IC 2 Umsetzer IC SAR 24-TSSOP ein
Kategorie: | Analog-Digitalkonverter (ADC) |
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Mfr: | Analog Devices Inc. |
Reihe: | iCMOS® |
STPSC10H065BY-TR Smd-Dioden-Oberflächenberg-Diode 650 V 10A DPAK
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Kategorie: | Einzelne Dioden |
Produktzahl: | STPSC10H065BY-TR |
Zweipoliger BJT NPN Dioden-Transistor 450 V 30 A 200 W BUF420AW durch Loch TO-247-3
Kategorie: | Bipolar Transistor - BJT |
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Mfr: | STMicroelectronics |
Transistor-Art: | NPN |
Oberflächenberg ATPAK ATP114-TL-H Dioden-Transistor-P-Kanal Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc
Kategorie: | Einzelne FETs, MOSFETs |
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Mfr: | onsemi |
Fet-Art: | P-Kanal |
IPP65R110CFDA-Dioden-Transistor und Thyristor-N-Kanal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3
Kategorie: | Einzelne FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Reihe: | Automobil, AEC-Q101, CoolMOS™ |