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25LC512T-I/SN grelles IC Gedächtnis EEPROM 512Kbit SPI 20 MHZ 8-SOIC
| Herkunftsort | Amerika |
|---|---|
| Markenname | MICROCHIP |
| Zertifizierung | RoHS |
| Modellnummer | 25LC512T-I/SN |
| Min Bestellmenge | 3300 PCS |
| Preis | Negotiable |
| Verpackung Informationen | 3300 PCS/Tape |
| Lieferzeit | 2-3 Tage |
| Zahlungsbedingungen | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 6K PCS |
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xProduktdetails
| Kategorie | Gedächtnis | Mfr | Mikrochip-Technologie |
|---|---|---|---|
| Paket | Band u. Band der Spulen-(TR) /Cut (CT) | Gedächtnis-Art | Permanent |
| Gedächtnis-Format | EEPROM | Technologie | EEPROM |
| Speicherkapazität | 512Kbit | Speicherorganisation | 64K x 8 |
| Gedächtnis-Schnittstelle | SPI | Taktfrequenz | 20 MHZ |
| Spannung - Versorgung | 2.5V | 5.5V | Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TA) |
| Markieren | grelles IC-eeprom,IC-FLASH-SPEICHER,Datenblatt 25lc512t-i/sn |
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Produkt-Beschreibung
25LC512T-I/SN EEPROM Gedächtnis IC 512Kbit SPI 20 MHZ 8-SOIC
Beschreibung:
Microchip Technology Inc. 25LC512 ist ein 512 Serien-EEPROM Gedächtnis Kbit mit Byte-stufigem und Seite-stufigem
Serien-EEPROM-Funktionen. Es kennzeichnet auch die Seiten-, Sektor- und Chiplöschenfunktionen, die gewöhnlich mit Blitz-ansässigem verbunden sind
Produkte. Diese Funktionen werden nicht für Byte angefordert, oder Seite schreiben Operationen. Das Gedächtnis wird über eine einfache Serie erreicht
Zusatzkompatibler Serienbus der schnittstelle (SPI). Die erforderten Bussignale sind ein Takteingang (SCK) plus unterschiedliche Daten in (SI)
und der Daten Linien heraus (SO). Zugang zum Gerät wird durch einen Input Chip Selects (CS) gesteuert.
Schnelles Detail:
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Hersteller
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Mikrochip-Technologie
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Hersteller Product Number
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25LC512T-I/SN
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Beschreibung
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IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
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Ausführliche Beschreibung
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EEPROM-Gedächtnis IC 512Kbit SPI 20 MHZ 8-SOIC
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Produkteigenschaften:
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ART
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Gedächtnis
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Mfr
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Mikrochip-Technologie
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Produkt-Status
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Aktiv
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Digi-Schlüssel programmierbar
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Überprüft
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Gedächtnis-Art
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Permanent
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Gedächtnis-Format
|
EEPROM
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Technologie
|
EEPROM
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Speicherkapazität
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512Kbit
|
|
Speicherorganisation
|
64K x 8
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|
Gedächtnis-Schnittstelle
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SPI
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Taktfrequenz
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20 MHZ
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Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
|
5ms
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Spannung - Versorgung
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2.5V | 5.5V
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Betriebstemperatur
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-40°C | 85°C (TA)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
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Lieferanten-Gerät-Paket
|
8-SOIC
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Niedrige Produkt-Zahl
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25LC512
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Zusätzliche Ressourcen:
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| Andere Namen |
25LC512TISN
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25LC512T-I/SNDKR
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25LC512T-I/SNTR
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25LC512T-I/SNCT
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| Standardpaket | 3300 |
Eigenschaften
• 20 MHZ max. Taktrate-
• Byte und Seite-stufige schreiben Operationen:
- Seite 128-byte
- Maximum mit 5 Frauen.
- Kein Seiten- oder Sektorlöschen erforderte
• Niederleistungs-CMOS-Technologie:
- Max. Schreibstrom: 5 MA an 5.5V, 20 MHZ
- Gelesenes gegenwärtiges: 10 MA an 5.5V, 20 MHZ
- Bereitschaftsstrom: 1 A an 2.5V (tiefes powerdown)
• Elektronische Unterzeichnung für Gerät Identifikation
• Selbst-zeitgesteuertes Löschen und Schreibzyklen:
- Seiten-Löschen (Frau 5, typisch)
- Sektor-Löschen (10 ms/sector, typisch)
- Massenlöschen (Frau 10, typisch)
• Sektor-Schreibschutz (Byte 16K/Sektor):
- Schützen Sie keine, 1/4, 1/2 oder die ganze Reihe
• Eingebauter Schreibschutz:
- Ein-/Ausschalten-Datenschutzschaltkreis
- Write Klinke ermöglichen
- Schreibschutzstift
• Hohe Zuverlässigkeit:
- Ausdauer: 1 Million löscht,/Schreibzyklen
- Daten-Zurückhalten: Jahre >200
- Esd-Schutz: >4000V
• Temperaturspannen stützten sich:
- Industrielles (i): -40°C zu +85°C
- Ausgedehntes (e): -40°C zu +125°C
• RoHS konform
• Automobil-AEC-Q100 qualifizierte
Daten-Bild:
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