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AT28HC64BF-12SU paralleles EEPROM Gedächtnis IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC

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xKategorie | Gedächtnis | Mfr | Mikrochip-Technologie |
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Paket | Rohr | Gedächtnisart | Permanent |
Gedächtnis-Format | EEPROM | Technologie | EEPROM |
Speicherkapazität | 64 KB | Speicherorganisation | 8K x 8 |
Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel | Zugriffzeit | 120 ns |
Spannung - Versorgung | 4.5V | 5.5V | Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TC) |
Markieren | AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-SOIC,IC 64Kbit 28-SOIC AT28HC64BF-12SU,IC 28-SOIC 64Kbit AT28HC64BF-12SU |
AT28HC64BF-12SU EEPROM Gedächtnis IC 64Kbit parallele 120 Ns 28-SOIC
Beschreibung:
Das AT28HC64BF ist ein leistungsstarker elektrisch-löschbarer und programmierbarer Festwertspeicher (EEPROM).
Sein 64K des Gedächtnisses wird als 8.192 Wörter durch 8 Bits organisiert. Hergestellt mit Atmels modernem permanentem CMOS
Technologie, das Gerät bietet Zugriffzeiten bis 55 ns mit Verlustleistung von gerade 220 mW an. Wenn das Gerät ist
abgewählt, ist der CMOS-Bereitschaftsstrom kleiner als µA 100.
Schnelles Detail:
Hersteller
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Mikrochip-Technologie
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Hersteller Product Number
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AT28HC64BF-12SU
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Hersteller Standard Lead Time
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52 Wochen
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Ausführliche Beschreibung
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EEPROM-Gedächtnis IC 64Kbit parallele 120 ns 28-SOIC
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Produkteigenschaften:
ART
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Gedächtnis
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Mfr
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Mikrochip-Technologie
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Paket
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Rohr
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Produkt-Status
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Aktiv
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Gedächtnis-Art
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Permanent
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Gedächtnis-Format
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EEPROM
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Technologie
|
EEPROM
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Speicherkapazität
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64Kbit
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Speicherorganisation
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8K x 8
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Gedächtnis-Schnittstelle
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Parallel
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Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
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10ms
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Zugriffzeit
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120 ns
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Spannung - Versorgung
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4.5V | 5.5V
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Betriebstemperatur
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-40°C | 85°C (TC)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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28-SOIC (0,295", 7.50mm Breite)
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Lieferanten-Gerät-Paket
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28-SOIC
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Niedrige Produkt-Zahl
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AT28HC64
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Zusätzliche Ressourcen:
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
Andere Namen | AT28HC64BF12SU |
Standardpaket | 27 |
Eigenschaften
• Schneller Lesezugriff zeit- 70 ns
• Automatische Seite schreiben Operation – interne Adress-und getaktete D-Flipflops für 64 Bytes
• Schnelle Schreibzyklus-Zeiten
– Seiten-Schreibzyklus-Zeit: 2 Frau Maximum (Standard)
– 1 bis 64 Byte Seite schreiben Operation
• Ableitung der geringen Energie
– 40 MA Wirkstrom
– 100 µA CMOS-Bereitschaftsstrom
• Hardware-und Software-Daten-Schutz
• DATEN Wahl und Toggle-Stückchen für Ende von schreiben Entdeckung
• Hohe Zuverlässigkeit CMOS-Technologie
– Ausdauer: 100.000 Zyklen
– Daten-Zurückhalten: 10 Jahre
• Einzelne 5 Versorgung V ±10%
• CMOS und kompatibler Input und Ertrag TTLs
• JEDEC genehmigte Byte-weites Pinout
• Industrielle Temperaturspannen
• Grün (Pb/Halide-free) nur verpackend
Daten-Bild: