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Paralleler Flash-Speicher IC Chip NAND SLC 2Gbit 25 Ns TC58NVG1S3HTA00 TSOP48

Herkunftsort Japan
Markenname KIOXIA
Zertifizierung RoHS
Modellnummer TC58NVG1S3HTA00
Min Bestellmenge 96 PC
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 96 PCS/Tray
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 9K PCS

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Produktdetails
Produkt-Zahl TC58NVG1S3HTA00 Kategorie Gedächtnis
Paket Behälter Hersteller KIOXIA
Gedächtnis-Art Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Speicherkapazität 2 GB Speicherorganisation 256M x 8
Schnittstellen-Art Parallel Zugriffzeit 25 ns
Betriebstemperatur 0℃~70℃ Versorgungs-Spannungsbereich 2.7V~3.6V
Markieren

TC58NVG1S3HTA00

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TC58NVG1S3HTA00 TSOP48

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paralleler Flash-Speicher IC

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Produkt-Beschreibung

BLITZ TC58NVG1S3HTA00 - Gedächtnis IC 2Gbit parallele 25 Ns 48-TSOP I NANDs (SLC)

 

Datenblatt: TC58NVG1S3HTA00.pdf

 

BLITZ - Gedächtnis IC 2Gbit parallele 25 ns 48-TSOP I NANDs (SLC)

 

Eigenschaften:

●Organisation

Speicherzellenreihe   2176*128K*8

Register                  2176*8

Seitengröße               2176 Bytes

Blockgröße              Bytes 128K+8K

●Modi
Gelesenes, zurückgestelltes, Selbstseiten-Programm, Selbstblock-Löschen, Status-Lesen, Seiten-Kopie,
Multi Seiten-Programm, multi Block-Löschen, multi Seiten-Kopie, multi Seite las
●Modussteuerung
Serieninput/output
Befehlssteuerung
●Zahl von gültigen Blöcken
Minimale 2008 Blöcke
Maximale 2048 Blöcke
●Stromversorgung
VCC =2.7V zu 3.6V
●Zugriffzeit
Zellenträger, zum 25 zu registrieren wir maximal
Lesezyklus-Zeit 25 ns-Minute (CL=50pF)
●Programm-/Löschenzeit
Selbstart des seiten-Programms 300 us/page
Selbstfrau des block-Löschens 2,5 Blockformat
●Betriebsstrom
Lesen (25 ns Zyklus) 30 MA maximal
Programm (avg.) 30 MA maximal
Löschen (avg.) 30 MA maximal
Bereitschaft 50 MA maximal
●Paket
TSOP I 48-P-1220-0.50 (Gewicht: 0,53 g-Art.)
●8 Bit ECC für jedes 512Byte wird angefordert
 

Beschreibung:

Das TC58NVG1S3HTA00 ist ein einzelnes 3.3V 2Gbit (2.281.701.376 Bits) NAND Electrically Erasable und
Programmierbarer Festwertspeicher (NAND E2PROM) organisiert als (2048 + 128) Blöcke der Seiten *2048 der Bytes *64.
Das Gerät hat zwei 2176 statische Register des Bytes, die das zwischen übertragen zu werden Programm erlauben und gelesene Daten,
Register und die Byteerhöhungen der Speicherzellen-Reihe im Jahre 2176. Die Löschenoperation wird in einem einzelnen Block eingeführt
Einheit (128 Kbytes + 8 Kbytes: 2176 Bytes * 64 Seiten).
Das TC58NVG1S3HTA00 ist ein Serien-artiges größtintegriertes Speicherbauelement, das die Input-/Outputstifte für Adresse und Daten verwendet
Input/Output sowie für Befehlsinput. Die Löschen- und Programmoperationen werden automatisch durchgeführt und machen
das Gerät am passendsten für Anwendungen wie Festkörperaktenspeicherung, Sprachaufnahme, Bilddateigedächtnis für noch
Kameras und andere Systeme, die Permanentspeicherdatenspeicherung mit hoher Dichte erfordern.

 

Schnelles Detail:

Hersteller
Kioxia America, Inc.
Hersteller Product Number
TC58NVG1S3HTA00
Beschreibung
IC-BLITZ 2GBIT ENTSPRECHEN 48TSOP I
Ausführliche Beschreibung
BLITZ - Gedächtnis IC 2Gbit parallele 25 ns 48-TSOP I NANDs (SLC)

 

Produkteigenschaften:

ART
BESCHREIBUNG
Kategorie
Gedächtnis
Mfr
Kioxia America, Inc.
Paket
Behälter
Produkt-Status
Aktiv
Gedächtnis-Art
Permanent
Gedächtnis-Format
BLITZ
Technologie
BLITZ - NAND (SLC)
Speicherkapazität
2Gbit
Speicherorganisation
256M x 8
Gedächtnis-Schnittstelle
Parallel
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
25ns
Zugriffzeit
25 ns
Spannung - Versorgung
2.7V | 3.6V
Betriebstemperatur
0°C | 70°C (TA)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Paket/Fall
48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite)
Lieferanten-Gerät-Paket
48-TSOP I
Niedrige Produkt-Zahl
TC58NVG1

 

Zusätzliche Ressourcen:

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen
TC58NVG1S3HTA00YCL
 
TC58NVG1S3HTA00Y0J
 
TC58NVG1S3HTA00B4H
 
TC58NVG1S3HTA00YCJ
Standardpaket 96

 

Daten-Bild:

 

Paralleler Flash-Speicher IC Chip NAND SLC 2Gbit 25 Ns TC58NVG1S3HTA00 TSOP48 0