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SCS212AJTLL getrennter ROHM Oberflächenberg TO-263AB der Halbleiter-Dioden-650 V 12A

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xProdukt-Zahl | SCS212AJTLL | Hersteller | Rohm-Halbleiter |
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Technologie | Sic (Silikon-Karbid) Schottky | Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal) | 650 V |
Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) | 12A | Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn | 1,55 V @ 12 A |
Geschwindigkeit | Keine Genesungszeit > 500mA (Io) | Rückgenesungszeit (trr) | 0 ns |
Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr | µA 240 @ 600 V | Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB | Betriebstemperatur - Kreuzung | 175°C (maximal) |
Markieren | SCS212AJTLL,Halbleiter SCS212AJTLL ROHM,Getrennte Halbleiter-Produkte |
Oberflächenberg TO-263AB SCS212AJTLL-Dioden-650 V 12A
Datenblatt: SCS212AJTLL
Kategorie | Einzelne Dioden |
Mfr | Rohm-Halbleiter |
Produkt-Status | Aktiv |
Technologie | Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal) | 650 V |
Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) | 12A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn | 1,55 V @ 12 A |
Geschwindigkeit | Keine Genesungszeit > 500mA (Io) |
Rückgenesungszeit (trr) | 0 ns |
Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr | µA 240 @ 600 V |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Kreuzung | °C 175 (maximal) |
Niedrige Produkt-Zahl | SCS212 |
EIGENSCHAFTEN:
・ Kürzere Genesungszeit
・ Verringerte Temperaturabhängigkeit
・ Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich
Anwendungen
・ PFC Topologie aufladen
・ Sekundärseitenkorrektur
・ Data Center
・ Pv-Netzschutzgeräte
DataPicture: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf