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SCS212AJTLL getrennter ROHM Oberflächenberg TO-263AB der Halbleiter-Dioden-650 V 12A

Herkunftsort Japan
Markenname Rohm Semiconductor
Zertifizierung RoHS
Modellnummer SCS212AJTLL
Min Bestellmenge 1000 PC
Preis Negotiable
Verpackung Informationen 1000 PCS/Tape
Lieferzeit 2-3 Tage
Zahlungsbedingungen L/C, D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 3K PCS

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Produktdetails
Produkt-Zahl SCS212AJTLL Hersteller Rohm-Halbleiter
Technologie Sic (Silikon-Karbid) Schottky Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal) 650 V
Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn 1,55 V @ 12 A
Geschwindigkeit Keine Genesungszeit > 500mA (Io) Rückgenesungszeit (trr) 0 ns
Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr µA 240 @ 600 V Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (maximal)
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SCS212AJTLL

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Halbleiter SCS212AJTLL ROHM

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Getrennte Halbleiter-Produkte

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Produkt-Beschreibung

Oberflächenberg TO-263AB SCS212AJTLL-Dioden-650 V 12A

 

Datenblatt: SCS212AJTLL

Kategorie Einzelne Dioden
Mfr Rohm-Halbleiter
Produkt-Status Aktiv
Technologie Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal) 650 V
Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io) 12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn 1,55 V @ 12 A
Geschwindigkeit Keine Genesungszeit > 500mA (Io)
Rückgenesungszeit (trr) 0 ns
Gegenwärtig - Rückdurchsickern @ Vr µA 240 @ 600 V
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB
Lieferanten-Gerät-Paket TO-263AB
Betriebstemperatur - Kreuzung °C 175 (maximal)
Niedrige Produkt-Zahl SCS212

EIGENSCHAFTEN:

・ Kürzere Genesungszeit
・ Verringerte Temperaturabhängigkeit
・ Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich

 

Anwendungen

・ PFC Topologie aufladen

・ Sekundärseitenkorrektur

・ Data Center

・ Pv-Netzschutzgeräte

 

DataPicture: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdfSCS212AJTLL getrennter ROHM Oberflächenberg TO-263AB der Halbleiter-Dioden-650 V 12A 0SCS212AJTLL getrennter ROHM Oberflächenberg TO-263AB der Halbleiter-Dioden-650 V 12A 1