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Inverter IC TC7S04F TE85L F 1 Kanalschalter IC Chip Digital Regulator SMV
| Herkunftsort | Japan |
|---|---|
| Markenname | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Zertifizierung | RoHS |
| Modellnummer | TC7S04F (TE85L, F) |
| Min Bestellmenge | 3000pcs |
| Preis | Negotiable |
| Verpackung Informationen | 3000 PCS/Tape |
| Lieferzeit | 2-3 Tage |
| Zahlungsbedingungen | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 15K PCS |
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xProduktdetails
| Produktzahl | TC7S04F (TE85L, F) | Kategorie | Tore und Inverter |
|---|---|---|---|
| Hersteller | Toshiba-Halbleiter und -speicher | Reihe | TC7S |
| Logik-Art | Inverter | Zahl von Stromkreisen | 1 |
| Zahl von Input | 1 | Spannung - Versorgung | 2V | 6V |
| Gegenwärtig - bewegungslos (maximal) | 1 µA | Gegenwärtig - Ertrag hoch, niedrig | 2.6mA, 2.6mA |
| Eingegebener logischer Zustand - Tief | 0,5 V ~ 1,8 V | Eingegebener logischer Zustand - hoch | 1.5V | 4.2V |
| Max. Laufzeitverzögerung bei V, Max. CL | 17ns @ 6V, 50pF | Betriebstemperatur | -40°C | 85°C |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg | Paket/Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Markieren | Wechselrichter-IC 1 Schalter-IC-Chips TC7S04F TE85L F,Wechselrichter-IC 1 Schalter-ICs TC7S04F TE85L F,Wechselrichter 1 Schalter-ICs TC7S04F TE85L F |
||
Produkt-Beschreibung
TC7S04F(TE85L,F) Wechselrichter-IC 1 Kanal SMV
Datenblatt:TC7S04F(TE85L,F)
| Kategorie | Tore und Wechselrichter |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor und Speicher |
| Serie | TC7S |
| Produktstatus | Aktiv |
| Logiktyp | Wandler |
| Spannungsversorgung | 2V ~ 6V |
| Aktuell – Ruhezustand (max.) | 1µA |
| Strom – Ausgang hoch, niedrig | 2,6mA, 2,6mA |
| Eingangslogikpegel – Niedrig | 0,5 V ~ 1,8 V |
| Eingangslogikpegel – Hoch | 1,5 V ~ 4,2 V |
| Max. Ausbreitungsverzögerung bei V, Max. CL | 17 ns bei 6 V, 50 pF |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Gerätepaket des Lieferanten | SMV |
| Paket/Koffer | SC-74A, SOT-753 |
| Basisproduktnummer | 7S08 |
Der TC7S04 ist ein Hochgeschwindigkeits-C2-MOS-Inverter, der mit Silizium-Gate-C2-MOS-Technologie hergestellt wird.
Es erreicht einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb ähnlich dem äquivalenten LSTTL und behält gleichzeitig die geringe Verlustleistung des C2-MOS bei.
Der interne Schaltkreis besteht aus drei Stufen einschließlich Pufferausgang, was eine hohe Störfestigkeit und einen stabilen Ausgang ermöglicht.
Der Eingang ist mit Schutzschaltungen gegen statische Entladung oder transiente Überspannung ausgestattet.
Die Ausgangsströme betragen im Vergleich zu den Modellen der TC74HC-Serie die Hälfte
Zusätzliche Ressourcen:
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| Andere Namen | TC7S04F(TE85L,F) |
| TC7S04FLFDKR | |
| TC7S04F(T5LFT)CT | |
| TC7S04F(T5LFT)DKR-ND | |
| TC7S04FT5LFT | |
| TC7S04FTFTR | |
| TC7S04FTCT-NDR | |
| TC7S04F(T5LFT)TR | |
| TC7S04F(TE85LF)TR-ND | |
| TC7S04F(T5LFT)CT-ND | |
| TC7S04FTTR-NDR | |
| TC7S04F(T5LFT)TR-ND | |
| TC7S04F,LF(T | |
| TC7S04F(TE85LF)CT | |
| TC7S04F(TE85LF)CT-ND | |
| TC7S04F(TE85LF)DKR-ND | |
| TC7S04F(TE85LF)TR | |
| TC7S04FTFDKR | |
| TC7S04FTFDKR-ND | |
| TC7S04F,LF(B | |
| TC7S04FLFTR | |
| TC7S04F(T5L,F,T) | |
| TC7S04F (T5L,F,T) | |
| TC7S04F(T5LFT)DKR | |
| TC7S04FTFCT | |
| TC7S04FTFCT-ND | |
| TC7S04F(TE85LF)DKR | |
| TC7S04FTFTR-ND | |
| TC7S04FLFCT | |
| Standardpaket | 3000 |
Merkmale
• Hohe Geschwindigkeit: tpd = 7 ns (typ.) bei VCC = 5 V
• Geringe Verlustleistung: ICC = 1 μA (max.) bei Ta = 25 °C
• Hohe Störfestigkeit: VNIH = VNIL = 28 % VCC (min.)
• Ausgangsantriebsfähigkeit: 5 LSTTL-Lasten
• Symmetrische Ausgangsimpedanz: |IOH|= IOL = 2 mA (min)
• Ausgeglichene Ausbreitungsverzögerungen: tpLH ∼− tpHL
• Großer Betriebsspannungsbereich: VCC (opr) = 2 bis 6 V
Datenbild:
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