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Gedächtnis STMicroelectronicss M24C32-DRMN3TP/K EEPROM IC-Chip 32Kbit ich ² C 1 MHZ 450 Ns 8-SOIC

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xKategorie | Gedächtnis | Mfr | STMicroelectronics |
---|---|---|---|
Reihe | M24C32-A125 | Gedächtnis-Format | EEPROM |
Technologie | EEPROM | Speicherkapazität | 32Kbit |
Speicherorganisation | 4K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | I-² C |
Taktfrequenz | 1 MHZ | Zugriffzeit | 450 ns |
Spannung - Versorgung | 1.8V | 5.5V | ||
Markieren | M24C32-DRMN3TP/K 1 MHZ 450 Ns 8-SOIC,M24C32-DRMN3TP/K 450 Ns 8-SOIC,450 Ns 8-SOIC M24C32-DRMN3TP/K |
² C 1 MHZ 450 Ns 8-SOIC M24C32-DRMN3TP/K EEPROM Gedächtnis ICs 32Kbit I
Beschreibung:
Das M24C32-A125 ist ein 32-Kbit Serien-EEPROM Automobilgradgerät, das bis 125 °C. laufen lässt. Das M24C32- A125 ist
konform mit der hohen Stufe der Zuverlässigkeit definiert durch den Automobilstandard-AEC-Q100 Grad 1. Das Gerät wird erreicht
durch eine einfache Serien-kompatible Schnittstelle I2C, die bis 1 MHZ laufen lässt. Die Gedächtnisreihe basiert auf modernem wahrem EEPROM
Technologie (elektrisch löschbares programmierbares Gedächtnis). Das M24C32-A125 ist die Byte-änderbaren Gedächtnisse (4096 k-× 8 Bits) organisiert
als 128 Seiten Byte 32, in denen die Richtigkeit der Daten erheblich mit einer eingebetteten Fehlerkorrekturcodelogik verbessert wird.
Das M24C32-A125 bietet eine zusätzliche Identifizierungsseite an (Byte 32) in der die St.-Gerätekennung gelesen werden kann. Diese Seite
kann auch verwendet werden, um empfindliche Anwendungsparameter zu speichern, die späteres sein können dauerhaft zugeschlossen in schreibgeschützten Modus.
Eigenschaften
• AEC-Q100 qualifizierte
• Kompatibel mit allen I2C-Busmodi
– 1 MHZ
– 400 kHz
– 100 kHz
• Gedächtnisreihe
– 32 Kbit (Kbyte 4) von EEPROM
– Seitengröße: Byte 32
– Zusätzlich schreiben Sie verschließbare Seite (Identifizierungsseite)
• Ausgedehnte Temperatur und Spannungsbereiche
– °C -40 zu °C 125; 1,7 V bis 5,5 V
• Schmitt-Trigger-Input für Rauschfilterung.
• Kurze Schreibzykluszeit
– Byte schreiben innerhalb Frau 4
– Seite schreiben innerhalb Frau 4
• Schreibzyklusausdauer
– 4 Million Schreibzyklen bei °C 25
– 1,2 Million Schreibzyklen bei °C 85
– 600 k-Schreibzyklen bei °C 125
• Datenzurückhalten
– 50 Jahre bei °C 125
– 100 Jahre bei °C 25
• Esd-Schutz (Modell des menschlichen Körpers)
– 4000 V
• Pakete
– RoHS konform und Halogen-frei (ECOPACK2)
Schnelles Detail:
Hersteller
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STMicroelectronics
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Hersteller Product Number
|
M24C32-DRMN3TP/K
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Beschreibung
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IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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Ausführliche Beschreibung
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² C 1 MHZ 450 ns 8-SOIC EEPROM-Gedächtnis ICs 32Kbit I
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Produkteigenschaften:
ART
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Gedächtnis
|
Mfr
|
STMicroelectronics
|
Reihe
|
Automobil, AEC-Q100
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Produkt-Status
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Aktiv
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Gedächtnis-Art
|
Permanent
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Gedächtnis-Format
|
EEPROM
|
Technologie
|
EEPROM
|
Speicherkapazität
|
32Kb
|
Speicherorganisation
|
4K x 8
|
Gedächtnis-Schnittstelle
|
I-² C
|
Taktfrequenz
|
1 MHZ
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Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite
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4ms
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Zugriffzeit
|
450 ns
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Spannung - Versorgung
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1.8V | 5.5V
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Betriebstemperatur
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-40°C | 125°C (TA)
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Befestigung der Art
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Oberflächenberg
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Paket/Fall
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8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
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Lieferanten-Gerät-Paket
|
8-SOIC
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Niedrige Produkt-Zahl
|
M24C32
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Zusätzliche Ressourcen:
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
Andere Namen |
497-14425-1
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497-14425-2
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|
497-14425-6
|
|
Standardpaket | 2500 |
DataPicture: